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IR HiRel GaN HEMT –氮化鎵晶體管

發(fā)布時(shí)間：2021-02-22 17:15:14 瀏覽：1863

IR-HiRel氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優(yōu)勢(shì)。特別是高臨界電場(chǎng)使得GaN-HEMTs成為功率半導(dǎo)體器件的研究熱點(diǎn)。與硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有優(yōu)異的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻和較小的電容，非常適合于高速開關(guān)。IR-HiRel不僅節(jié)省了功率，降低了系統(tǒng)的整體成本，而且允許更高的工作頻率，提高了功率密度和系統(tǒng)的整體效率。

IR-HiRel GaN功率晶體管最重要的特性是其反向恢復(fù)性能。因?yàn)?/span>IR HiRe的CoolGaN? 晶體管沒有少數(shù)載流子和體二極管，所以它們沒有反向恢復(fù)。

使用

IR-HiRel系列在許多應(yīng)用中給各種系統(tǒng)帶來了可觀的價(jià)值。這些e-mode HEMTs針對(duì)服務(wù)器和消費(fèi)類工業(yè)應(yīng)用，具有市場(chǎng)上最強(qiáng)大和性能概念，例如服務(wù)器、數(shù)據(jù)通信、電信、適配器/充電器、無線充電和音頻。

在高功率應(yīng)用中使用IR-HiRel的CoolGaN? 服務(wù)器電源和電信應(yīng)用程序可以節(jié)省成本并增加每個(gè)機(jī)架的電源。由于其硬開關(guān)功能，它還允許更簡(jiǎn)單的控制方案和提高效率相比，下一個(gè)最好的硅替代品。

GaN技術(shù)在適配器和充電器電源方面的突破是功率密度小、重量輕、效率高的解決方案。用IR-HiRel實(shí)現(xiàn)CoolGaN? 無線功率傳輸可以在更高的功率水平上實(shí)現(xiàn)高效率，實(shí)現(xiàn)E級(jí)設(shè)計(jì)中的最佳調(diào)節(jié)。

CoolGaN? 400V設(shè)備D級(jí)音頻最大限度地提高音頻性能，提供卓越的音質(zhì)。此外，幾乎沒有熱設(shè)計(jì)限制，它非常易于使用，并與IR HiRel的ERU兼容? D類音頻放大器兼容。

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IR HiRel.png

Product	Package name	Technology	VDS max [V]	RDS (on) max [?]	QG [C]	Mounting	OPN	ID max [A]	IDpuls max [A]	ID @25°C max [A]
IGT60R070D1	PG-HSOF-8	CoolGaN?	600	70	5.8	SMT	IGT60R070D1ATMA1	31	60	31
IGOT60R070D1	PG-DSO-20	CoolGaN?	600	70	5.8	SMT	IGOT60R070D1AUMA1	31	60	31
IGLD60R070D1	PG-LSON-8	CoolGaN?	600	70	5.8	SMT	IGLD60R070D1AUMA1	15	60	15
IGO60R070D1	PG-DSO-20	CoolGaN?	600	70	5.8	SMT	IGO60R070D1AUMA1	31	60	31
IGT40R070D1 E8220	PG-HSOF-8	CoolGaN?	400	70	4.5	SMT	IGT40R070D1E8220ATMA1	31	60	31
IGLD60R190D1	PG-LSON-8	CoolGaN?	600	190	3.2	SMT	IGLD60R190D1AUMA1	10	23	10
IGT60R190D1S	PG-HSOF-8	CoolGaN?	600	190	3.2	SMT	IGT60R190D1SATMA1	12.5	23	12.5

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